全球DRAM内存芯片主要由三星、SK海力士、美光三家垄断。这三家公司的份额达到了95%，而且在技术上也处于领先地位。不久前，美光甚至宣布量产1内存芯片，这是目前最先进的内存。芯片。
内存技术进入20nm节点后，制造商的命名发生了变化。都称为10nm级别的内存，但是还有更详细的划分。前三代分别是1x、1y和1z，随后是1、1和1。
1、1、1三代中，三星在1上开始采用EUV光刻工艺，但价格成本较高。美光目前量产的1工艺是最先进的。
1相当于多少nm？美光近日在日本召开沟通会，介绍了1内存的一些进展，指出其工艺水平相当于13nm，并且美光仍然没有采用EUV技术，避免了昂贵的光刻机。
美光没有采用EUV 光刻，而是主要采用第二代HKMG 工艺、ArF 浸没式多重光刻等工艺进行1 存储器，实现了存储密度提升35%，同时节省了15% 的功耗。
1之后，会有1工艺，预计是12nm级别，制造难度更大。不过，美光目前还没有明确是否使用EUV光刻机。他们的目标很可能是继续使用现有的工艺改进来避免EUV 光刻机的成本。
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